OPPO的新款Reno4 SE:配备MediaTek 5G处理器

最近,根据许多科技媒体的消息,一种新的OPPO模型被曝光,但是该模型相对较少。它属于Reno系列的新型号,并正式命名为OPPO Reno4 SE。
如今,在华为,小米,OPPO,vivo,三星等智能手机制造商的型号中,SE的后缀通常意味着配置的减少。至于已经曝光的OPPO Reno4 SE,价格应该低于2020年上半年发布的OPPO Reno4系列。
据曝光图片,OPPO Reno4 SE的代言人是王俊凯,口号是“ “超级闪光灯充电,超级闪光灯”,这是OPPO的Reno系列首次发布SE系列型号。以前,只有标准版和专业版。
根据互联网上的最新消息,OPPO Reno4 SE将配备联发科5G处理器。具体地,在2020年9月15日,根据曝光的图片,OPPO Reno4 SE的发言人是王俊凯,口号是“ Super Flash Charge,Super Flash Light”。
在这方面,作者认为,离线海报的曝光意味着该智能手机很可能成为离线智能手机市场的主要关注点。对于OPPO来说,像vivo手机一样,它拥有大量的线下商店。
在此基础上,为吸引线下用户的注意力,OPPO Reno4 SE的发言人是王俊凯。对于王俊凯来说,他无疑是当红的明星,这将使更多关注新的OPPO Reno4 SE。
在当今的智能手机市场中,华为,小米,OPPO和vivo等智能手机制造商已经邀请了知名人士代言他们的新手机。在所有这些方面,我们希望充分发挥名人的知名度,从而为产品销售的增长奠定良好的基础。
根据网络访问信息,OPPO Reno4 SE对此智能手机使用了挖屏设计。穿孔的筛网的名称看起来像一个小孔,被“打孔”。
在屏幕的一角,就像机械打孔机在一张纸上做的一样。摄像头模块位于此处,因此缺口不会触及屏幕的边缘。
与苹果手机,各种弹出式摄像头甚至衍生的滑盖手机相比,它无疑是全屏手机的一个很好的解决方案。在2020年的智能手机市场中,穿孔屏的设计已成为重要趋势,也就是说,华为,小米,OPPO和vivo等智能手机制造商发布的新手机都采用了穿孔屏的设计。
在硬件配置方面,OPPO Reno4 SE配备了6.43英寸AMOLED挖掘屏,分辨率为2400×1080。在处理器上,OPPO Reno4 SE智能手机CPU的主频为2.0GHz,如果没有发生意外,它就是联发科的Dimensity 800处理器。
据报道,联发科技Dimensity 800采用4 * A76 + 4 * A55的核心组合,最高频率达到了2.0GHz。它还集成了4个与Dimensity 1000规格相同的G77 GPU(对于Dimensity 1000,规格为9个)。
);此外,该芯片还支持90Hz刷新率,全高清+分辨率屏幕。关于5G,联发科技Dimensity 800支持6 GHz以下的G频段,5G SA / NSA双模块网络,2G-5G第四代蜂窝连接,动态频谱共享(DSS)技术和VoNR语音服务。
同时,2CC载波聚合技术也将其信号覆盖范围扩大了30%以上。当然,也有突发新闻称OPPO Reno4 SE智能手机处理器为联发科Dimensity720。
但是,我认为,就整体性能而言,联发科Dimensity 720处理器和联发科Dimensity 800处理器基本处于同一水平。最后,根据网络访问信息,OPPO Reno4 SE智能手机具有2100mAh的额定电池容量和双电池设计。
由于采用双电池设计,此智能手机的实际电池容量应超过4000mAh。在其他配置中,OPPO Reno4 SE智能手机的正面配有32百万像素自拍镜头,背面则具有48百万像素+ 800万+ 200万像素的三重相机。
这款手机仅重169克,轻巧至7.85毫米。关于OPPO产品线调整的消息,OPPO回应说其Reno系列产品将来会覆盖更多价格点,或者将推出具有主要成本效益的低价产品,而其他方面尚未做出回应。
。此外,智能手机制造商OPPO先前已经宣布:“寻找高端产品,里诺关注爆炸性产品,A系列是入门级精品店,K系列关注在线产品”,并进一步优化了其产品。
线。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: ys@jepsun.com

产品经理: 汤经理

QQ: 2057469664

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • 欧璐O-墙壁开关:简约设计与实用功能的完美结合 欧璐O-墙壁开关是一款结合了实用性和设计感的产品,特别适合现代家居使用。这款开关设计为一开多三孔单的设计模式,意味着一个开关可以控制多个电器的电源,不仅节省了安装空间,还极大地提升了使用的便捷性。其外观简...
  • 深入解读积层压敏电阻JMV-E:从原理到实际应用的全面指南 积层压敏电阻JMV-E的工作原理积层压敏电阻基于非线性电阻特性,在正常电压下呈现高阻态,当电压超过阈值时迅速转入低阻态,从而将瞬时过电压泄放至地线,保护后级电路。关键性能参数解析 参数名称 典型值 说明 ...
  • JMV-E积层压敏电阻技术参数与应用领域详解 积层压敏电阻(JMV-E)是一种广泛应用于电子设备中的关键保护元件,其主要功能是为电路提供过电压保护,防止瞬态电压对敏感电子元件造成损害。在现代电子产品中,瞬态电压可能来源于雷击、电源波动或电路开关等现象,这...
  • JMV-E积层压敏电阻技术解析:高性能电子防护的核心组件 JMV-E积层压敏电阻概述JMV-E积层压敏电阻(Multilayer Varistor, MLV)是一种基于陶瓷材料的先进压敏元件,广泛应用于现代电子设备中,用于过电压保护和浪涌抑制。其核心优势在于高可靠性、快速响应时间以及优异的耐冲击能力。核...
  • E+H液位开关FTL20: 高性能与可靠性的液位检测解决方案 E+H液位开关FTL20是一款高性能、高可靠性的液位检测设备,广泛应用于化工、制药、食品加工等多个行业。该款液位开关采用了先进的测量技术,能够在各种复杂工况下准确检测液体的有无及位置变化,确保生产过程的安全与稳定...
  • 高精密贴片电阻阻值表标准阻值表E-96 0603F(+1%) Standard Resistance Table 标准阻值表1 E-96 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 阻值 代码 10 01X 100 01A 1.00K 01B 10.0K 01C 100K 01D 1M 01E 10.2 02X 102 02A 1.02K 02B 10.2K 02C 102K 02D 10.5 03X 105 03A 1.05K 03B 10.5K 03C 105K 03D 10.7 04X 107 04A 1.07K 04B 10.7K 04C 107K 04D 11 05...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
  • 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
  • 深入理解N+P互补对MOS管:从材料到性能优化策略 互补对MOS管的核心组成与工作模式N+P互补对指的是在同一芯片上集成的NMOS与PMOS晶体管,它们共同构成互补逻辑门(如CMOS反相器)。这种结构以极低的静态功耗和优异的信号完整性著称,尤其适合高密度集成电路设计。1. NMOS与PM...
  • N+P互补对MOS管的设计优化与挑战分析 设计中的关键参数考量在实际电路设计中,N+P互补对MOS管的性能不仅取决于其基本结构,还受到多种因素影响。以下为关键设计要素:1. 尺寸匹配(宽长比优化)为了实现对称的传输特性,需合理设置NMOS与PMOS的宽长比(W/L)。通...
  • 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
  • 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...
  • N+P互补对MOS管30V技术解析:结构、特性与应用优势 N+P互补对MOS管30V的基本原理在现代模拟与数字集成电路设计中,N+P互补对MOS管(即NMOS与PMOS构成的互补结构)是核心构建单元之一。其中,30V耐压等级的互补对MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件通过在...
  • 如何在8V~29V系统中正确设计P/N沟道MOS管驱动电路 引言:驱动电路的重要性在8V至29V的电力电子系统中,正确设计MOS管的栅极驱动电路是确保器件稳定、高效运行的关键环节。无论是P沟道还是N沟道器件,若驱动不当,可能导致导通不完全、开关速度慢甚至击穿损坏。核心设计原...
  • 深入解析N+P互补对MOS管在数字电路中的应用与优势 N+P互补对MOS管的基本原理在现代集成电路设计中,互补金属氧化物半导体(CMOS)技术是主流架构之一。其中,N+P互补对MOS管由一个NMOS(N型沟道MOSFET)和一个PMOS(P型沟道MOSFET)构成,二者协同工作以实现逻辑门功能。1. 工作机制...
  • N沟道MOS管与P沟道MOS管的核心差异解析:从工作原理到应用对比 引言N沟道MOS管(NMOS)和P沟道MOS管(PMOS)是现代电子电路中不可或缺的两种场效应晶体管,广泛应用于数字逻辑电路、电源管理、模拟开关等领域。尽管它们在结构上相似,但在工作原理、性能表现和应用场景上存在显著差异。...
  • N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与优势分析 引言在现代电子系统中,尤其是工业控制、汽车电子和高电压电源管理领域,8V至29V的宽电压范围供电需求日益增长。N+P互补对MOS管(即N沟道与P沟道MOSFET组成的互补结构)因其优异的开关性能和高可靠性,成为该电压区间内核心...
  • N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
  • P沟道MOS管与N沟道MOS管的核心差异解析:结构、工作原理与应用对比 P沟道MOS管与N沟道MOS管的基本概念MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是现代电子电路中不可或缺的元件,根据导电沟道类型不同,可分为P沟道和N沟道两种。其中,P沟道MOS管(PMOS)以空穴为多数载流子,而N沟道MOS管(NMO...