8月25日消息,金立(Gionee)最近在中国正式发布了运行Android 9 Pie的K3 Pro,并且指纹传感器的位置非常独特。首先,让我介绍一下Gionee K3 Pro奇怪的指纹传感器的位置。
机器将其放入后置摄像头模块中。右下角的圆圈是因为它不是居中设计,因此使用起来不方便。
在配置方面,这款手机使用联发科的Helio P60芯片组,具有6或8GB的内存和128GB的可扩展存储空间。屏幕为6.53英寸HD + 720x1600 IPS面板,水滴形凹槽中装有13MP自拍相机。
手机背面有一个16 MP主摄像头,其他两个参数未知。金立K3 Pro的电池容量为4,000 mAh,充电功率为10W。
它的尺寸为164.3×77.6×9.7毫米,重量为205克。在连接性方面,该机支持双SIM卡支持,4G VoLTE,Wi-Fi,蓝牙4.0,GPS,USB-C和3.5毫米音频插孔。
据了解,金立K3 Pro 6GB内存版售价为699元,而8GB内存版将涨至799元。它有翡翠绿和珍珠白两种颜色。
该机器已经在市场上。 JD Gionee金立K3 pro 8GB + 128GB 799元直接链接
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: momo@jepsun.com
产品经理: 李经理
QQ: 2215069954
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
- 欧璐O-墙壁开关:简约设计与实用功能的完美结合 欧璐O-墙壁开关是一款结合了实用性和设计感的产品,特别适合现代家居使用。这款开关设计为一开多三孔单的设计模式,意味着一个开关可以控制多个电器的电源,不仅节省了安装空间,还极大地提升了使用的便捷性。其外观简...
- N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
- 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
- N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
- 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
- 台湾TA-I大毅合金电阻RLP25FEER050 2512 2W 50mΩ电流检测合金电阻 商品属性加工定制否品牌TA-I型号RLP25FEER050种类大功率合金电阻性能高功率 高精度 耐高温材料合金制作工艺合金贴片工艺外形平面片状允许偏差±1%温度系数100PPM/℃额定功率2(W)功率特性大功率频率特性中频产品性质合金电阻 检...
- 采样电阻TA-I合金电阻RLM25FEER001 2512 2W 1mΩ 加工定制否品牌TA-I/大毅型号RLM25FEER001种类合金电阻性能高功率材料合金制作工艺合金贴片工艺外形平面片状允许偏差±1%温度系数100PPM/℃额定功率2(W)功率特性大功率频率特性高频产品性质取样电流电阻 采样检测电阻货号W5025...
- 聚鼎PH-D瞬态抑制二极管插件TVS管应用及选型指南 在电子设备中,瞬态电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressor,简称TVS管)作为关键的保护元件,在面对瞬态过电压时能够迅速响应,有效地保护电路中的敏感器件免受损害。聚鼎科技(PU Diode)作为国内知名的半导体制造商,其...
- 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
- 磁性感应接近开关SMC D-C73:高效稳定的自动化控制选择 磁性感应接近开关SMC D-C73是一种高效、非接触式的检测设备,广泛应用于自动化控制领域。这种开关能够检测到特定类型的磁场变化,并据此触发开关动作,无需物理接触即可完成信号的传输与处理,因此在提高设备运行效率的...
- 施耐德LC1-D系列交流接触器:可靠性能与优质服务 施耐德电气作为全球能效管理和自动化领域的专家,在电气领域有着卓越的表现。其产品线中的LC1-D系列交流接触器是工业控制领域中不可或缺的一部分。其中,LC1-D25型号接触器以其高质量和可靠性能著称,适用于多种工业场景...
- 德国P+F电感式接近开关:工业自动化的关键组件 德国P+F(*福)是一家在传感器技术和自动化领域享有盛誉的公司。其电感式接近开关作为产品线中的重要一员,在工业自动化控制领域扮演着关键角色。这种类型的接近开关利用电磁感应原理来检测金属物体的存在与否,无需与目...
- 103瓷片电容表示的是0.01μF的电容值而非K单位 103瓷片电容表示的电容量是0.01μF(微法),而不是K(千)单位。这里的数字和字母组合是一种简化标记方式,用于表示电容器的电容值。具体来说,“103”中的“10”代表的是电容值的有效数字部分,“3”则表示在有效数字后面...
- 电阻r的大小对谐振频率有无影响 R对频率没有影响,但影响曲线的陡度,即质量因子Q。R越大,Q越低,峰值越慢。...
- P沟道MOS管工作原理及应用 P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-MOSFET)是一种常用的电子器件,广泛应用于各种电子电路中。其工作原理基于电压控制电流的特性,与N沟道MOS管相比,P沟道MOS管在结构和工作方式上有一些显著的区别。### 工作原理P沟道...
- P沟道MOS管30V参数及应用实例 在电子工程领域中,P沟道MOS管因其独特的电气特性而被广泛应用于各种电路设计中。其中,电压等级达到30V的P沟道MOS管更是因其出色的性能,在高压应用场合中扮演着重要角色。下面将详细介绍这种器件的主要参数及其典型应用...
- P沟道MOS管100V参数及应用领域 在电力电子和模拟电路设计中,P沟道MOS管是一种非常重要的半导体器件,尤其适用于高压环境下的应用。P沟道MOS管100V型号意味着其能够承受的最大电压为100伏特,这使得它在许多需要高电压切换或调节的应用中表现出色。接下...
- Multisim 14.0中电感元件的位置及选择方法 在使用Multisim 14.0进行电路设计与仿真时,寻找特定元件如电感的位置是初学者常有的疑问。实际上,在Multisim 14.0软件中,电感作为基本的无源元件之一,被归类在基础元件库(Basic library)中。具体查找步骤如下:首先打开Multis...
- 气压开关三P-10:功能、应用及重要性 在细致探讨气压开关三P-10的功能与应用之前,我们先来了解其基本构造。气压开关三P-10是一种精密设备,主要用于监控和控制气压系统中的压力变化。这种开关的设计目的是为了确保机械设备的安全运行,通过检测压力的变化来...