现在,许多现代的NAND闪存设备使用一种新的体系结构,该体系结构将接口,控制器和存储芯片集成到一个普通的陶瓷层中。我们称其为一件式结构包装。
直到最近,所有存储卡,例如SD,Sony MemoryStick,MMC等,都包含非常简单的“经典”存储卡。结构,其中包含独立的部件-控制器,PCB和tsop48或LGA-52封装中的NAND存储器芯片。
在这种情况下,整个恢复过程非常简单-我们只需要焊接内存芯片,直接用PC-3000FLASH读取它,并做与普通USB闪存盘相同的准备即可。但是,如果我们的存储卡或UFD设备基于一体式包装体系结构,我们该怎么办?如何访问NAND存储器芯片并从中读取数据?基本上,在这种情况下,我们应该尝试擦除陶瓷层的涂层,在集成封装设备的底部可以找到特殊的技术引脚。
在开始进行集成式FLASH数据恢复之前,我们应警告您,焊接集成式FLASH设备的整个过程非常复杂,需要良好的焊接技能和专用设备。如果您以前从未尝试过焊接集成的FLASH设备,那么最好使用一些不重要的配件在设备上尝试您的技能。
例如,您可以购买其中的几台以测试您的准备工作和焊接技能。您可以在下面找到必要的设备清单:优质的光学显微镜,x2,x4,x8变焦; USB烙铁,烙铁头非常细,烙铁头非常尖;双面胶带;液体活化剂BGA助焊剂;热风枪(例如-Lukey702);松香;木牙签;酒精(纯度75%以上);直径为0.1毫米的铜线,漆包线;珠宝级砂纸(1000、2000、2500端(值越大,沙越小); BGA焊球为0.3mm;镊子;锋利的手术刀;图纸和引脚分配; PC-3000Flash电路板适配器;所有设备时准备焊接,我们可以开始生产了,首先,我们使用多合一闪存设备,在这种情况下,它是一个小型microSD卡,我们需要用双面胶带将其固定在桌子上之后,我们开始从底部擦拭陶瓷层。
此操作需要一些时间,因此您应该非常耐心和小心。如果损坏了引脚层,将无法恢复数据!我们从粗糙的砂纸开始(最大的砂子尺寸)– 1000或1200。
当涂层的第一大部分是去除时,必须用较小的砂砾尺寸-2000替换砂纸。最后,当接触铜层可见时,我们应该使用最小的2500号粗砂。
如果正确执行所有操作,最后您将获得类似的信息:下一步是在我们的全球解决方案中心中搜索引脚。要继续使用整个模块,我们需要焊接3组触点:命令触点:ALE,RE,R / B,CE,CLE,WE;电源触点:VCC,GND。
首先,您需要选择集成闪存设备的类型(在我们的示例中为microSD卡),然后必须选择兼容的引脚排列(在我们的示例中为2型)。之后,我们应该将microSD卡固定到电路上板适配器,易于焊接。
在焊接之前,请先打印出集成FLASH器件的引脚排列方案,这是一个好主意。您可以像这样将这个方案放在您旁边,当您需要检查引脚阵列时,它就在您的眼前。
我们准备开始焊接过程!确保工作站有足够的光线!借助小刷子,在microSD引脚触点上滴一些液体活性助焊剂。借助湿牙签,我们应将所有BGA焊球放在引脚排列方案上标记的铜引脚触点上。
最好使用尺寸为接触直径的75%的BGA焊球。液体助焊剂将帮助我们将BGA球固定在microSD卡的表面上。
当所有的BGA球都放在引脚上时,我们应该使用烙铁熔化锡。当心!轻柔地执行所有动作!要熔化,请使用烙铁。
用头轻轻触摸BGA焊球。当所有的BGA焊球融化后,您需要在触点上放一些BGA助焊剂。
使用热风枪,我们应该在+ 200C的温度下加热引脚。 BG助焊剂有助于在所有BGA触点之间分配热量,并小心地熔化它们。
加热后,所有触点和BGA锡将呈半球形。现在,我们应该在酒精的帮助下清除所有助焊剂的痕迹。
您需要将其洒在microSD卡上并用刷子清洁。下一步是准备铜线。
它们的长度应相同(约5-7厘米)。为了切割相同尺寸的电线,我们建议使用一张纸作为长度测量仪。
之后,我们应该使用手术刀从电线上去除绝缘漆。从两侧稍稍刮擦它们。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: tao@jepsun.com
产品经理: 陆经理
QQ: 2065372476
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- N沟道MOS管电压范围从31V到99V的应用与选择 在电力电子和开关电源设计中,N沟道MOSFET因其低导通电阻和高速开关性能而被广泛应用。对于需要处理较高电压的应用场景,选择合适的N沟道MOSFET就显得尤为重要。您提到的31V至99V电压范围,正好覆盖了许多工业控制、电机驱动...
- 电感为什么可以储存能量,电感是如何储存电能的呢 电感器是可以存储能量并基于电磁感应原理工作的电子元件。电感器通常由线圈组成,当电流通过线圈时,线圈周围会产生磁场,从而储存能量。以下是对电感储能原理的详细分析: 电感器的工作原理:&...
- N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
- N沟道MOS管100V+参数及应用详解 在电子设计和电路开发中,N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种非常重要的元件,特别是在需要高电压处理能力的应用场景下,如电源管理和电机控制等。对于一款标称能够承受100V以上的N沟道MOS管来说,了...
- N沟道30V MOS管参数及应用实例详解 在电子设计和电力电子系统中,MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)是一种非常重要的半导体器件。特别是N沟道30V MOS管,在低压和中压电力转换应用中有着广泛的应用。这类MOS管因其低导通电阻、高速开关性能以及易于驱动等特性...
- 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
- 40-300V N沟道MOSFET选型指南 在电子设计中,选择合适的功率MOSFET对于确保电路的高效和稳定运行至关重要。40-300V电压范围内的N沟道MOSFET是许多电源转换、电机控制和其他电力应用中的关键组件。本文将探讨如何根据不同的应用场景选择适合的MOSFET,包括...
- N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
- 如何提高系统安全性以防止数据泄露 在当今数字化时代,数据安全成为企业和个人必须重视的问题。数据泄露不仅会损害企业声誉,还可能导致严重的经济损失和法律问题。为了提高系统的安全性以防止数据泄露,可以采取以下几个措施:1. 强化访问控制:确保只...
- N沟道MOS管工作原理及应用 N沟道MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种常见的场效应晶体管,其工作基于电场效应来控制电流。这种类型的晶体管在现代电子设备中有着广泛的应用,从消费电子产品到工业控制系统,乃至最新的计算机芯片技...
- 400V N沟道MOS管应用及选型指南 在电力电子设备中,N沟道MOS管因其低导通电阻、高速开关性能和高效率而被广泛应用。尤其对于需要承受400V电压的应用场景,选择合适的N沟道MOS管至关重要。本文将探讨如何为您的项目选择适合的400V N沟道MOS管,并提供一些关...
- 0-40V N沟道MOSFET的应用与选择指南 在电子设计中,0-40V N沟道MOSFET是一种常用的半导体器件,广泛应用于电源管理、电机控制和信号放大等场合。正确选择和应用MOSFET对于确保电路性能和可靠性至关重要。本文将探讨如何根据具体需求选择合适的0-40V N沟道MOSFET,并...
- 接近开关WSC1808-N:高性能与广泛应用 接近开关WSC1808-N是一款高性能的感应设备,它主要应用于自动化控制系统中,用于非接触检测物体的存在或位置。这款接近开关具有体积小巧、安装方便的特点,同时具备较高的检测精度和快速响应时间,能够在各种工业环境中...
- N沟道MOS管8V至29V应用与选择指南 在电子设计中,MOS管作为开关或放大器使用时具有重要的地位。特别是对于N沟道MOS管,其在低侧开关应用中表现尤为出色。针对您提到的8V至29V电压范围内的N沟道MOS管,本文将从以下几个方面进行探讨:1. 理解N沟道MOS管的工作原...
- JMV-N积层压敏电阻的应用与特性详解 积层压敏电阻(Multilayer Varistor, MLV),特别是型号为JMV-N的产品,在电子设备中扮演着重要的角色,主要用于过电压保护。这类器件以其小巧的体积、高效的保护性能和良好的热稳定性而受到广泛欢迎。下面将详细介绍JMV-N积层压...
- OMLON接近开关E2E-X2D1-N-Z: 原装正品,现货供应 OMLON品牌的接近开关E2E-X2D1-N-Z是一款高质量、高精度的检测设备。这款产品以其卓越的性能和可靠性,在各种工业自动化领域得到了广泛的应用。原装正品保证了其优秀的品质与稳定性,能够满足用户对于精确度和耐用性的高标准...
- 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
- XAUI切换器在数据中心网络中的应用与优势 在现代数据中心网络架构中,XAUI(Ten XGMII Attachment Unit Interface)切换器扮演着至关重要的角色,尤其是在高速数据传输和处理方面。XAUI是一种用于连接10Gb以太网物理层设备和MAC层之间的接口标准,它支持高达10Gbps的数据传输速率...
- 接近开关E2E-X3D1-N:非接触式感应技术的应用 接近开关E2E-X3D1-N是一种非接触式的感应开关,被广泛应用于自动化控制领域。这种开关通过电磁感应原理来检测目标物体的存在与否,无需与运动部件进行直接接触即可完成检测任务,从而大大提高了设备的可靠性和使用寿命。...
- 欧姆龙E2E-X3D1-N-Z接近开关:工业自动化领域的高效解决方案 欧姆龙的E2E-X3D1-N-Z是一款高性能的接近开关,广泛应用于工业自动化领域。这款接近开关采用先进的传感技术,能够在无需物理接触的情况下检测到金属物体的存在或接近,从而实现对机械设备的精确控制。它具有较高的检测精...