台积电的3nm制程技术研发超出预期

最近，“ 2021年国际固态电路会议”正式举行。会上，台积电董事长刘德银向外界宣布了公司3nm工艺研发的进展。
据刘德银说，台积电的3nm制程技术的当前研发超出了预期。之前预计的2022年大规模生产节点有望实现发展。
您知道，不久前，许多媒体报道了台积电和三星的3nm工艺研发陷入瓶颈。响应此消息，业内和行业外都有很多声音表示，两家巨头的3nm批量生产时间将被推迟。
甚至有这样一种观点，但出乎意料的是，台积电已经扭转了局面。它没有延迟批量生产，而是希望提前进入3nm时代。
台积电的技术实力显而易见，它的确是中国最大的芯片代工巨头。全世界排名第一的芯片代工巨头值得注意的是，台积电不仅是中国市场的领导者，而且是全球代工领域不可动摇的霸主。
公开资料显示，台积电还是世界上第一家专业的晶圆代工厂，可以称为代工厂领域的鼻祖。坦率地说，台积电正在将半导体芯片产业推向垂直分工。
自台积电扩大业务规模以来，该公司已占领了全球代工市场的50％以上。台积电几十年来一直遥遥领先的原因，一方面是由于该公司的声誉，而且其工艺精度可以长期引领整个行业。
台积电以7纳米时代和现在市场上主流的5纳米工艺为例，是全球首家实现相关工艺芯片量产的代工厂。特别是在5nm时代，台积电不仅领先于三星近半年，而且所制造产品的功耗稳定性远远优于基于三星5nm工艺的芯片。
诚然，芯片的功耗稳定性也与架构设计有关，但这确实在一定程度上受到制造过程的影响。因此，苹果，高通和华为等全球主要芯片设计者选择了台积电作为他们的首选合作伙伴。
3nm节点之战十分激烈。但是，像三星这样的技术巨头自然不愿意一直戴“一百万年第二”的帽子。
据了解，三星早在2019年就开始制定赶超台积电的计划。在2020年，三星迫不及待地推出了“ Semiconductor 2030计划”。
该计划的内容是到2030年，三星将投资133万亿韩元，并将全球最大的半导体公司作为其当前目标。同时，三星一再表示决心在3nm工艺节点上赶上台积电。
为此，除了增加研发投资外，三星还决定在3nm工艺上应用全新的GAA技术。与传统的FinFET相比，GAA技术可以更精确地控制跨通道的电流，从而在减小芯片功耗的同时减小了芯片面积。
据悉，台积电将在3nm工艺中保守采用成熟的FinFET技术。如果GAA技术能够成功应用，那么到那时，台积电将真正被三星束缚甚至超越。
三星的希望渺茫，但是要赶上台积电已经不是那么容易了，台积电多年来一直是世界霸主。尽管三星大胆地采用了新技术，但这项技术毕竟还不成熟，并且批量生产的风险相对较高。
在这方面，仁荷大学材料科学与工程学教授崔瑞诺说：如果三星在初期不能迅速增加先进节点的产量，则可能会蒙受损失。另一方面，台积电有机会获胜。
与GAA技术相比，传统FinFET的缺点确实很明显，但是由于该技术的高度成熟，台积电在3nm上的批量生产将不会太困难。此外，根据刘德银的说法，该公司在EUV光源方面也取得了重大突破，其电源已增加到350W。
值得一提的是，台积电不仅在EUV光源技术上取得了进步，而且与三星相比，其EUV光刻机也更多。写在最后随着芯片制造工艺的小型化，高端EUV光刻机的数量也成为了顺利批量生产高精度芯片的关键。
而且，现在台积电的3nm研发进展超出了预期。基于各种因素，相信这次三星希望追逐半导体制造平台。