MOSFET大致可分为以下几类：平面MOSFET；沟槽（Trench）MOSFET，主要用于低压领域； SGT（ShieldedGateTransistor，屏蔽栅沟槽）MOSFET，主要用于中压和低压领域； SJ-（超结）MOSFET主要用于高压应用。
随着手机，电动汽车，无刷电动机和锂电池快速充电的兴起，对中压MOSFET的需求在增加，中压功率器件也开始蓬勃发展。
由于其巨大的市场份额，许多国内外制造商都做出了相应的回应。
不断加大对新技术研发的投入。
作为中间MOSFET的代表，SGTMOSFET被广泛用作电动机驱动系统，逆变器系统和电源管理系统中的开关器件，并且是核心电源控制组件。
SGTMOSFET结构具有电荷耦合效应。
在传统沟槽MOSFET器件的PN结的垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽。
装置的电场从三角形分布变为近似矩形分布。
使用具有相同掺杂浓度的外延材料的规格。
在下面，该器件可以获得更高的击穿电压。
沟槽深度越深，可用于吸收EAS能量的硅体积就越大，因此SGT可以在雪崩中表现更好，并且可以承受雪崩击穿和浪涌电流。
在开关电源，电机控制，动力电池系统等应用领域，采用先进封装的SGTMOSFET对提高系统效率和功率密度非常有帮助。
SGT技术的优点详细体现如下：优点1：功率密度提高与传统的Trench结构相比，SGT结构的开挖深度要深3-5倍，并且可以使用更多的外延体积横向阻隔电压，这大大降低了MOSFET器件的特性导通电阻（SpecificResistance），例如使用SGT芯片技术的相同封装外形PDFN5 * 6，可以获得更低的导通电阻。
优点2：开关损耗极低与传统的Trench结构相比，SGT具有低Qg的特性。
引入屏蔽栅结构可以使MOSFET的Miller电容CGD降低10倍以上，这有助于减少开关电源应用中器件的开关损耗。
此外，CGD / CGS的低比率也是抑制当前同步整流应用中的直通的关键指标。
利用SGT结构，可以获得较低的CGD / CGS比率。
优势3：更好的EMI优势SGTMOS结构中内置的电阻电容缓冲器结构可以在DS电压关闭时抑制瞬态振荡。
在开关电源应用中，SGT结构中的寄生CD屏蔽和Rshield可以吸收器件的关断。
dv / dt时间变化引起的尖峰和振荡进一步降低了应用风险。
值得一提的是，依靠本地巨大的中压MOSFET市场需求，国产设备在中低压领域具有巨大的潜力来替代进口品牌。
威安正在积极部署高功率密度和低电阻的SGTMOSFET，结合市场和客户需求，在产品技术和包装方面不断创新。
针对不同的应用场景，产品系列和规格中的推荐选择如下：（1）PC，笔记本电脑，无线充电等。
（2）PD，适配器同步整流（3）BMS和电机控制（4）通信电源，5G基站WAYON是电路保护组件和功率半导体的提供商。
WAYON始终坚持``以客户为中心，以技术为中心，勤奋工作的精神''的核心价值观。
致力于通过技术创新来领导市场，并努力成为电路保护组件和功率半导体的世界领先品牌。
