作为第三代半导体，SiC由于其在许多方面的优越性能而正在扩展到更多的应用领域，但这是不可避免的。在成本和易用性方面，传统的SiC器件在某些方面仍略逊于硅器件。这也挑战了碳化硅器件替代硅器件的开发。几天前，领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（United Silicon Carbide）基于其第四代SiCFET先进技术平台推出了四款器件。该产品的性能取得了突破性的发展，并且解决了工程师在易用性和成本方面面临的最大挑战。它旨在加速在汽车充电，工业充电，电信整流器和数据中心PFC中使用碳化硅（例如宽带隙器件）。广泛用于直流转换，可再生能源和储能应用。作为市场上第一批750VSiCFET，UnitedSiC的四款第四代器件已基于领先的品质因数（FoM）实现了更高的性能水平，可用于汽车，工业充电，电信整流器和数据中心功率因数校正（PFC）和DC-DC转换以及可再生能源和储能领域的电力应用都可以从中受益。四种新型SiCFET包括18mΩ和60mΩ解决方案，具有出色的FoM，较低的单位面积导通电阻和较低的固有电容。在硬开关应用中，第四代FET实现了极低的RDS（on）×EOSS（mΩ·μJ），因此可降低其导通损耗和关断损耗。在软开关应用中，其低RDS（on）×Coss（tr）（mΩ·nF）规格可实现更低的传导损耗和更高的频率。这些器件不仅超越了现有SiCMOSFET竞争产品的性能（无论是在25°C的低温还是125°C的高温下工作），而且还提供极低的体二极管VF和出色的反向恢复特性，从而降低了死区区域损失和提高的效率。 UnitedSiC FAE经理Richard Chen说，市场上类似SiC MOSFET的当前电压通常为650V，或低于650V。对于电动汽车和其他领域所需的400 / 500V总线电压应用，750V碳化硅MOSFET可以为设计人员提供更多的余地。并减少其设计约束。另外，市场上现有的SiC MOSFET对驱动电压的要求与以前的硅器件不同，这使得工程师在从原始的硅器件切换到碳化硅FET时必须重新设计，以采用新的驱动电路。理查德·陈（Richard Chen）告诉21ic电子网络记者，UnitedSiC的第四代SiCFET的所有器件都可以用0至+ 12V的栅极电压驱动，这与以前的硅器件完全相同。因此，工程师可以将它们与现有的SiCMOSFET，SiIGBT和SiMOSFET进行比较。一起使用SiMOSFET栅极驱动器可以极大地简化其设计工作。负责UnitedSiC亚太地区销售的VPLiuLuwei告诉21ic Electronics Network记者，尽管它是一家新成立的公司，但UnitedSiC的业务正在快速发展，其年增长率在20％至30％之间。两位数，比硅器件的平均值高得多。年增长率。从DC-DC转换和车载充电到功率因数校正和太阳能逆变器，这些领域都是UnitedSiC的应用领域。刘鲁威透露，在汽车，快速充电领域等要求更高效率和性能且对成本不敏感的应用中，SiC MOSFET正在逐步取代硅器件。为了更好地为国内用户提供全方位的支持，UnitedSiC不久将在深圳建立一个应用实验室，以进一步优化对客户的支持。