在今天举行的2020内存存储日活动中，英特尔一次性发布了六种新的内存和存储新产品。首先，让我们看一下面向数据中心市场的SSDD7-P5510和SSDD5-P5316。同时，全球首个144层堆叠QLCNAND闪存均支持PCIe4.0。尽管英特尔已将其NAND闪存业务和工厂出售给了SK Hynix，但交易尚未完成。英特尔现有的路线图将继续执行。同时，该交易不涉及Optane技术和产品，英特尔将继续前进。 2016年，英特尔推出了第一代32层堆叠式TLC闪存，第二年又翻了一番，达到64层，并演变为TLC颗粒。存储密度增加了133％。在2019年，达到96层，存储密度增加了约50％。 144层再次使存储密度提高了约50％。在短短的5年中，英特尔将闪存的存储密度提高了4倍以上，单位成本自然也呈指数下降。尽管许多人不赞成QLC（就像开始时一样使用TLC），但英特尔强调，今天的QLC闪存在平均故障间隔时间，平均温度，保修寿命，不可恢复的错误率（UBER）方面已经达到了质量。 ，以及数据持久性。它符合TLC的可靠性指标，并且与同一集成电路设计兼容，从而大大简化了升级。与两年前最新的144层堆栈的64层堆栈相比，可靠性和最大写入量增加了4倍，读取负载QoS最多增加了50％，基础写入性能提高了最多增加40％。回到产品级别，SSSD7-P5510主要用于云存储应用程序。它采用15m2.5英寸U.2格式，容量分别为3.84TB和7.68TB。连续读取和写入性能分别高达7000MB / s和4194MB / s，高于上一代（D7-P4510）。 ）分别比上一代提高了118％，35％，4K随机读写性能，高达930KIOPS，190KIOPS，45％，41％，混合随机读写性能为400KIOPS，比上一代提高了50％，读写写入延迟为86us，16us，比上一代提高了14％。此外，它支持每天一次全磁盘写入（上一代产品为0.85倍），并且特别值得一提的是，TRIM恢复时间已从30多秒缩短到了不到0.1秒，即，暂停读取和写入操作后，几乎可以立即将其完全还原。血液状态。技术功能支持改进的运行状况监视和管理，动态的多个名称空间，针对云负载优化的新算法，端到端数据保护，意外电源故障保护，企业级安全性等。以下是与竞争性PCIe4.0的比较SSD，看看吧。 SSDD5-P5316具有两种形式：U.215mm和E1.L。后者的最大容量为30.72TB，已针对热量存储进行了优化。它的连续读取性能高达6.8GB / s，比上一代（D5-P4326）高出2倍以上； 4K随机读取高达800KIOPS，比上一代高38％，但是写入性能尚未公布。就使用寿命而言，它支持3000个编程/擦除周期。 30.72TB型号的终生最大写入容量为18940TB，是上一代产品的4倍以上。使用此SSD，数据中心制造商可以在1U服务器中实现405TB（U.2）或1PB（E1.L）的总存储容量，从而大大降低了TCO成本。 IntelSSDD7-P5510将于本季度发货，SSSD5-P5316将于明年上半年发货，价格尚未透露。