随着无铅技术的全球推广，NV-SRAM已成为NVRAM的流行选择。本文主要介绍NV-SRAM和电池供电SRAM（BBSRAM）技术之间的比较。 BBSRAM数据保留时间和产品使用寿命•电池耗尽后（在商用系统中通常为4至7年），BBSRAM不再用作非易失性存储器。 •以下两个主要因素会缩短电池寿命：-内存电路的泄漏电流-该因素取决于内存的电流要求，它还决定了室温下的电池寿命。 -电解质蒸发-在70°C的温度下，蒸发速率是电池与存储装置断开连接并缩短其使用寿命的速率。 •通常在85°C的温度下，即使从未为设备充电，电池的使用寿命也不能超过两年。 •在低温条件下，电池保持的电流容量也会降低。 •在–40°C的温度下，大致相同的机制会使车载电池的化学成分在低温下无效，从而使电池的电源容量降低20％。 •不受控制的关机顺序可能会对电池寿命产生不利影响。特别是在电源关闭时，由于警报引起的VCC下冲会耗尽电池电量。如果断电设备CE无法维持高电平状态，则可能会发生意外的读/写操作。这些循环需要全电流以减少电池寿命。性能•电池供电的设备必须优化待机功耗，以最大程度地延长数据保留时间并减少访问时间。 •4Mb BBRAM的最快访问时间是70ns至100ns。 NV-SRAM•NV-SRAM保证20年的数据保留和一百万次存储操作。 •NV-SRAM中的非易失性存储单元是EEPROM单元。该单元包括置于导体和硅表面之间的氮化物绝缘体和薄氧化物绝缘体。编程电荷存储在氮化物绝缘体中。导体之间的电场控制电荷注入到氮化物绝缘体中。 •绝缘体保持电荷的能力决定了数据的保持时间。当存储单元循环或温度升高时，绝缘体会导致更多电荷泄漏。设备的存储温度和执行的存储操作次数决定了数据在NV-SRAM中的保留时间。 •使用温度加速因子来检测所有赛普拉斯NV-SRAM器件，以确保这些器件在最高温度下运行时在最终指定的存储期内符合所有保留规格。 •SRAM部件并在某些NV-SRAM中使用工业标准6T单元中的标准SRAM完全相同。因此，其性能规格与标准SRAM相同，并且当前访问时间为20ns至45ns。与BBSRAM器件相比，NV-SRAM在数据保留时间，访问时间和封装尺寸方面具有明显的优势。对于要求几乎无限的耐用性，数据的长期保留以及对存储在存储器中的数据的高速访问的系统，NV-SRAM是首选。 q