日前，Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所股票代码：VSH）宣布推出最新的第四代600VEF系列快速体二极管MOSFET器件-SiHH070N60EF。 Vishay Siliconix的n通道SiHH070N60EF导通电阻比其先前的器件低29％，为通信，工业，计算和企业级电源应用提供了高效的解决方案，而栅极电荷却降低了60％，从而器件导通电阻和栅极电荷的乘积该产品，即功率转换应用中600V MOSFET的重要品质因数（FOM）在企业界是最低的。 SiHH070N60EF基于Vishay的最新高效E系列超级结技术。在10V条件下，典型的导通电阻仅为0.061Ω，超低栅极电荷降至50nC。该器件的FOM为3.1Ω* nC，比同类产品的MOSFET低30％。这些参数表明减少了传导和开关损耗，从而节省了能量。 SiHH070N60EF的有效输出电容Co（er）和Co（tr）分别仅为90pf和560pF，这可以改善零电压开关（ZVS）拓扑（如LLC谐振转换器）的开关性能。器件的Co（tr）比类似的MOSFET低32％。几天前发布的设备采用PowerPAK®8x8封装，符合RoHS，无卤素，可在雪崩模式下抵抗过压瞬变，并保证100％通过UIS测试。